DC22+
MOQ: 1pc
Pacote: Padrão
A gama de chips funcionais é ampla e abrange muitas áreas de aplicação diferentes, como comunicações, processamento de imagem, controle de sensores, processamento de áudio, gerenciamento de energia e muito mais.
Detalhes do produto
Lugar de origem: Guangdong, China
Marca: original
Número do modelo: BAV70
Termos do pagamento & do transporte
Quantidade de ordem mínima: 100 peças
Preço: $0.001 - $0.005/pieces
Detalhes da embalagem: Empacotamento antiestático
Habilidade da fonte: 1000 partes/partes por Mês
Temperatura de funcionamento: |
/ |
Tipo de montagem: |
/ |
Descrição: |
- Não, não. |
Tipo: |
LED |
D/C: |
Em-estoque |
Tipo de embalagem: |
Montagem de superfície |
Aplicação: |
Fã |
Tipo de fornecedor: |
Outros |
Meios disponíveis: |
Outros |
Tensão dianteira do máximo: |
70V |
Tensão reversa máxima: |
10 V |
Máximo Dianteiro Atual: |
0.2A |
Máximo Reverso Atual: |
0.05A |
Tipo do diodo: |
/ |
Tecnologia: |
/ |
Tensão - reverso máximo (máximo): |
/ |
Atual - média retificada (Io): |
/ |
Tensão - dianteira (Vf) (máximo) @ se: |
/ |
Atual - escapamento reverso @ Vr: |
/ |
Embalagem / Caixa: |
/ |
Configuração do diodo: |
/ |
Tensão - reverso da C.C. (Vr) (máximo): |
/ |
Atual - média retificada (Io) (pelo diodo): |
/ |
Tempo de recuperação reversa (trr): |
/ |
Capacidade @ Vr, F: |
/ |
Atual - máximo: |
/ |
Resistência @ se, F: |
/ |
Dissipação de poder (máxima): |
/ |
Relação da capacidade: |
/ |
Condição do rácio de capacidade: |
/ |
Configuração: |
/ |
Tensão - Zener (Nom) (Vz): |
/ |
Tolerância: |
/ |
Impedância (máxima) (Zzt): |
/ |
Porto: |
Shenzhen |
Temperatura de funcionamento: |
/ |
Tipo de montagem: |
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Descrição: |
- Não, não. |
Tipo: |
LED |
D/C: |
Em-estoque |
Tipo de embalagem: |
Montagem de superfície |
Aplicação: |
Fã |
Tipo de fornecedor: |
Outros |
Meios disponíveis: |
Outros |
Tensão dianteira do máximo: |
70V |
Tensão reversa máxima: |
10 V |
Máximo Dianteiro Atual: |
0.2A |
Máximo Reverso Atual: |
0.05A |
Tipo do diodo: |
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Tecnologia: |
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Tensão - reverso máximo (máximo): |
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Atual - média retificada (Io): |
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Tensão - dianteira (Vf) (máximo) @ se: |
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Atual - escapamento reverso @ Vr: |
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Embalagem / Caixa: |
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Configuração do diodo: |
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Tensão - reverso da C.C. (Vr) (máximo): |
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Atual - média retificada (Io) (pelo diodo): |
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Tempo de recuperação reversa (trr): |
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Capacidade @ Vr, F: |
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Atual - máximo: |
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Resistência @ se, F: |
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Dissipação de poder (máxima): |
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Relação da capacidade: |
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Condição do rácio de capacidade: |
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Configuração: |
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Tensão - Zener (Nom) (Vz): |
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Tolerância: |
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Impedância (máxima) (Zzt): |
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Porto: |
Shenzhen |
O tipo de chips que temos | ||||||
Circuitos integrados Componentes electrónicos | ICs de comparação | Código-Decodificador | ICs de toque | |||
IC de referência de tensão | Amplificador | Reinicie o IC do detector | IC do amplificador de potência | |||
IC de processamento por infravermelho | Chip de interface | Chip Bluetooth | Boost e Buck Chips | |||
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