Destacar:
Tipo: |
IC CHIP, Transistor de triodo, Transistor IGBT |
Temperatura de funcionamento: |
NA |
Série: |
Padrão |
Tipo de montagem: |
Padrão |
Descrição: |
IRF4905PBF |
D/C: |
Mais novo |
Tipo de embalagem: |
Durante todo o furo |
Aplicação: |
MOSFET |
Tipo de fornecedor: |
Outros |
Referência: |
NA |
Meios disponíveis: |
Folha de dados |
Marca: |
NA |
Atual - coletor (CI) (máximo): |
NA |
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): |
NA |
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: |
NA |
Atual - interrupção do coletor (máxima): |
NA |
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: |
NA |
Poder - máximo: |
NA |
Frequência - transição: |
NA |
Embalagem / Caixa: |
NA |
Resistor - base (R1): |
NA |
Resistor - base do emissor (R2): |
NA |
Tipo do FET: |
NA |
Característica do FET: |
Padrão |
Drene à tensão da fonte (Vdss): |
NA |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C: |
NA |
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: |
NA |
Identificação de Vgs (th) (máximo) @: |
NA |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: |
NA |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: |
NA |
Frequência: |
NA |
Avaliação atual (ampères): |
NA |
Figura de ruído: |
NA |
Saídas de potência: |
NA |
Tensão - avaliado: |
NA |
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): |
NA |
Vgs (máximo): |
NA |
Tipo de IGBT: |
NA |
Configuração: |
Padrão |
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI: |
NA |
Capacidade entrada (Cies) @ Vce: |
NA |
Input: |
NA |
Termistor de NTC: |
NA |
Tensão - divisão (V (BR) GSS): |
NA |
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
NA |
Dreno atual (identificação) - máxima: |
NA |
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @: |
NA |
Resistência - RDS (sobre): |
NA |
Voltagem: |
NA |
Tensão - saída: |
NA |
Tensão - offset (Vt): |
NA |
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao): |
NA |
Atual - vale (iv): |
NA |
Atual - pico: |
NA |
Aplicações: |
NA |
Tipo do transistor: |
Transistor de potência rf mrf150 |
Porto: |
Shenzhen |
IRFB4110 IC MOSFET IRF 100V 120A a 220AB IRFB4110 IRFB4110 PBF
Por favor verifique seu email!