Destacar:
Tipo: |
Chips, Transistores de Efeito de Campo, Transistores IGBT |
Temperatura de funcionamento: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Série: |
/ |
Tipo de montagem: |
Através do Buraco |
Descrição: |
/ |
D/C: |
22+ |
Tipo de embalagem: |
Durante todo o furo |
Aplicação: |
transistor irf |
Tipo de fornecedor: |
Outros |
Referência: |
Novos |
Meios disponíveis: |
Outros |
Marca: |
MOSFET P-CH 200V 11A a 220AB |
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima): |
, |
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI: |
, |
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce: |
, |
Embalagem / Caixa: |
TO-220-3 |
Resistor - base (R1): |
, |
Resistor - base do emissor (R2): |
, |
Tipo do FET: |
P-canal |
Característica do FET: |
Padrão |
Drene à tensão da fonte (Vdss): |
200V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C: |
11A (Tc) |
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: |
500 mOhm @ 6,6A, 10V |
Identificação de Vgs (th) (máximo) @: |
4V @ 250UA |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: |
44nC @ 10V |
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: |
1200pF @ 25V |
Frequência: |
, |
Avaliação atual (ampères): |
, |
Figura de ruído: |
, |
Saídas de potência: |
, |
Tensão - avaliado: |
, |
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): |
10 V |
Vgs (máximo): |
±20V |
Tipo de IGBT: |
, |
Configuração: |
/ |
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI: |
, |
Capacidade entrada (Cies) @ Vce: |
, |
Input: |
, |
Termistor de NTC: |
, |
Tensão - divisão (V (BR) GSS): |
, |
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
, |
Dreno atual (identificação) - máxima: |
, |
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @: |
/ |
Resistência - RDS (sobre): |
, |
Voltagem: |
, |
Tensão - saída: |
, |
Tensão - offset (Vt): |
, |
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao): |
, |
Atual - vale (iv): |
, |
Atual - pico: |
, |
Aplicações: |
, |
Tipo do transistor: |
Transistor de potência rf mrf150 |
Porto: |
Shenzhen |
Preço novo e original TO-220 N-Channel 500V 8A TO-220AB IRF840PBF IRF840
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