Destacar:
Tipo: |
IC, Transistor de Efeito de Campo, Transistor IGBT |
Temperatura de funcionamento: |
Padrão |
Série: |
Padrão |
Tipo de Montagem: |
Padrão |
Descrição: |
/ |
D/C: |
Mais de 22 anos |
Tipo de embalagem: |
Durante todo o furo |
Aplicativo: |
Padrão |
Tipo de fornecedor: |
outros |
Referências cruzadas: |
Padrão |
Mídia disponível: |
outros |
Marca: |
Transistor |
Corrente - colector (Ic) (máximo): |
Padrão |
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo): |
Padrão |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: |
Padrão |
Corrente - limite do colector (máximo): |
Padrão |
O aumento de corrente contínua (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
Padrão |
Potência - Máximo: |
Padrão |
Frequência - Transição: |
Padrão |
Embalagem / Caixa: |
Padrão |
Resistência - Base (R1): |
Padrão |
Resistência - Base do emissor (R2): |
Padrão |
Tipo de FET: |
Padrão |
Característica do FET: |
Padrão |
Voltagem de saída para a fonte (Vdss): |
Padrão |
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C: |
Padrão |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
Padrão |
Vgs(th) (Max) @ Id: |
Padrão |
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: |
Padrão |
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: |
Padrão |
Frequência: |
Padrão |
Câmbio de corrente nominal (Amp): |
Padrão |
Figura de ruído: |
Padrão |
Potência - saída: |
Padrão |
Voltagem nominal: |
Padrão |
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): |
Padrão |
Vgs (máximo): |
Padrão |
Tipo IGBT: |
/ |
Configuração: |
/ |
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic: |
/ |
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce: |
/ |
Input: |
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Termistor NTC: |
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Tensão - divisão (V (BR) GSS): |
/ |
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
Dreno atual (identificação) - máxima: |
/ |
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @: |
/ |
Resistência - RDS (sobre): |
/ |
Voltagem: |
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Voltagem - Saída: |
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Tensão - offset (Vt): |
/ |
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao): |
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Atual - vale (iv): |
/ |
Atual - pico: |
/ |
Aplicações: |
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Tipo do transistor: |
Transistor de potência rf mrf150 |
Porto: |
Shenzhen |
Regulador de três terminais LM2950 LM2950-3.3 TO-92-3
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