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GOLE PARALELA 4GBIT MT41K256M16TW-107 a TI do mícron ISSI Samsung IC de Merrillchip: P

Name: GOLE PARALELA 4GBIT MT41K256M16TW-107 a TI do mícron ISSI Samsung IC de Merrillchip: P
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: MT41K256M16TW-107 A TI: P
Price: 2.98 USD
Availability: InStock

Detalhes do produto

Lugar de origem: EUA

Marca: Micron

Número do modelo: MT41K256M16TW-107 A TI: P

Termos do pagamento & do transporte

Quantidade de ordem mínima: 1

Preço: 0.98-5.68/PC

Detalhes da embalagem: STANDRAD

Termos de pagamento: D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Habilidade da fonte: 10000PCS POR A SEMANA

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Descrição do produto

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Categoria de produto:	Mícron	Série:	MT41K256M16TW-107 A TI: P
Montando o estilo:	SMD/SMT	Pacote/caso:	TQFP-64
Núcleo:	AVR	Tamanho de memória do programa:	kB 16
Largura do ônibus de dados:	bocado 8	Definição do CAD:	bocado 10
Frequência de pulso de disparo máxima:	16 megahertz	Número de I/Os:	I/O 54
Dados RAM Size:	1 kB	Tensão de fonte - minuto:	1,8 V
Tensão de fonte - máxima:	5,5 V	Temperatura de funcionamento mínima:	- 40 C
Temperatura de funcionamento máximo:	+ 85 C	empacotamento:	MouseReel
tipo:	Mícron	Dados RAM Type:	SRAM
Dados ROM Size:	512 B

Categoria de produto:	Mícron
Série:	MT41K256M16TW-107 A TI: P
Montando o estilo:	SMD/SMT
Pacote/caso:	TQFP-64
Núcleo:	AVR
Tamanho de memória do programa:	kB 16
Largura do ônibus de dados:	bocado 8
Definição do CAD:	bocado 10
Frequência de pulso de disparo máxima:	16 megahertz
Número de I/Os:	I/O 54
Dados RAM Size:	1 kB
Tensão de fonte - minuto:	1,8 V
Tensão de fonte - máxima:	5,5 V
Temperatura de funcionamento mínima:	- 40 C
Temperatura de funcionamento máximo:	+ 85 C
empacotamento:	MouseReel
tipo:	Mícron
Dados RAM Type:	SRAM
Dados ROM Size:	512 B

GOLE PARALELA 4GBIT MT41K256M16TW-107 a TI do mícron ISSI Samsung IC de Merrillchip: P

Memória Flash PARALELA quente EEPROM RDA EMMC MT41K256M16TW-107 I do circuito integrado da GOLE 4GBIT de IC das microplaquetas de IC da venda de Merrillchip GOLE PARALELA 4GBIT MT41K256M16TW-107 a TI do mícron ISSI Samsung IC de Merrillchip: P 0

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MT41K256M16TW-107 A TI: P

DDR3 SDRAM usa uma arquitetura dobro da taxa de dados para conseguir a operação de alta velocidade. A arquitetura dobro da taxa de dados é
arquitetura 8n-prefetch com uma relação projetada transferir duas palavras de dados pelo ciclo de pulso de disparo nos pinos do I/O.
Única lida ou para escrever a operação para o DDR3 SDRAM consiste eficazmente em um único 8n-bit-wide, transferência de dados do ciclo do quatro-pulso de disparo
no núcleo e nos oito internos da GOLE que correspondem n-bocado-largo, transferências de um - metade - dados do pulso de disparo-ciclo nos pinos do I/O.
o estroboscópio diferencial dos dados (DQS, DQS#) é transmitido externamente, junto com dados, para o uso na captação de dados na entrada de DDR3 SDRAM
receptor. DQS centro-é alinhado com os dados para WRITEs.

Fabricante:	Tecnologia do mícron
Categoria de produto:	GOLE
RoHS:	Detalhes
Tipo:	SDRAM - DDR3L
Montando o estilo:	SMD/SMT
Pacote/caso:	FBGA-96
Largura do ônibus de dados:	bocado 16
Organização:	256 M x 16
Tamanho de memória:	4 Gbit
Frequência de pulso de disparo máxima:	933 megahertz
Tempo de acesso:	20 ns
Tensão de fonte - máxima:	1,45 V
Tensão de fonte - minuto:	1,283 V
Corrente da fonte - máxima:	46 miliampères
Temperatura de funcionamento mínima:	- 40 C
Temperatura de funcionamento máximo:	+ 95 C
Série:	MT41K
Empacotamento:	Bandeja
Tipo:	Mícron
Umidade sensível:	Sim
Tipo de produto:	GOLE
Quantidade do bloco da fábrica:	1224
Subcategoria:	Armazenamento de dados da memória &
Peso de unidade:	0,128468 onças

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GOLE PARALELA 4GBIT MT41K256M16TW-107 a TI do mícron ISSI Samsung IC de Merrillchip: P 5

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FAQ

Q1: Sobre a cotação de IC BOM?  A1: A empresa tem os canais de obtenção de fabricantes originais do circuito integrado no país e no estrangeiro e de uma equipe profissional da análise da solução do produto para selecionar os componentes eletrônicos de alta qualidade, baratos para clientes.
Q2: Cotação para soluções do PWB e do PCBA?
A2: A equipe profissional da empresa analisará a escala da aplicação das soluções do PWB e do PCBA fornecidas pelo cliente e as exigências do parâmetro de cada componente eletrônico, e fornece finalmente clientes as soluções de alta qualidade e baratas da cotação.
Q3: Sobre o projeto de microplaqueta ao produto acabado?
A3: Nós temos um conjunto completo de projeto da bolacha, de produção da bolacha, de testes da bolacha, de empacotamento e de integração de IC, e de produto de IC serviços da inspeção.
Q4: Faz nossa empresa têm uma exigência da quantidade de ordem mínima (MOQ)?
A4: Não, nós não temos a exigência de MOQ, nós podemos apoiar seus projetos que partem dos protótipos às produções em massa.
Q5: Como se assegurar de que informações ao cliente não é escapado?
A5: Nós somos dispostos assinar o efeito de NDA pela lei local do lado do cliente e a promessa manter dados dos clientes no nível confidencial alto.

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GOLE 4GBIT do mícron ISSI Samsung

4GBIT mt41k256m16tw 107 ele p

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IS61C3216 AL Micron ISSI Samsung,

O CI integrou a microplaqueta VFBGA-63,

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